Çinin üçüncü nəsil yarımkeçirici sıçrayışı tarazlığı dəyişə bilər

14.03.2025 15:20

Çinli tədqiqatçılar perspektivli yarımkeçirici material olan qallium nitridin (GaN) qüsurlarının əsas səbəbini aşkar ediblər.

TED.az xəbər verir ki, “GaN” qabaqcıl elektronikanın inkişafı üçün çox vacibdir.

Çinli tədqiqatçılar qabaqcıl elektronikada inqilab yarada biləcək üçüncü nəsil yarımkeçirici material olan “GaN”ın istehsalında əsas qüsur mənbəyini aşkar ediblər.

Xüsusilə hərbi tətbiqlər üçün kritik əhəmiyyət kəsb edən bu inkişaf Çinin texnologiya sahəsində qlobal rəqabət qabiliyyətini artıra bilər.

Pekin Universitetinin professoru Huanq Binqin rəhbərlik etdiyi qrup “GaN” kristalının böyüməsi zamanı əmələ gələn qüsurların əsas səbəbini müəyyən edib.

Onlar aşkar ediblər ki, problem kristal quruluşu pozan, sızma və zəif performansa səbəb olan əvəzetmə qüsurlarından qaynaqlanır.

Komanda bu qüsurları tapıb, çünki “GaN” altıbucaqlı atom quruluşuna malikdir və bu onu silisiumun kub quruluşundan fərqləndirir.

Çap et